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紫外线发光二极管!找到了在蓝宝石衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法

作者:baidu.com来源:未知   添加时间:2020-05-20 09:52   浏览次数:

据国外媒体报道,武汉大学的研究人员已经开发出一种在蓝宝石衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法。

据报道,研究人员专门设计了一种生长改性工艺,将开放空间引入到AIN薄膜中,以过滤位错和减轻应力。据说几乎没有应力的AIN薄膜可以用这种方法在平坦的蓝宝石衬底上生长。

武汉大学工业科学研究所的周生俊透露,由于新型冠状病毒疫情的不断蔓延,基于AlGaN (AlGaN)的UVC LED因其在消毒灭菌方面的潜在应用而日益受到关注。在低成本的衬底上生长高质量的氮化铝薄膜是高效铝镓基紫外发光二极管商业化的主要挑战。然而,武汉大学的研究人员已经开发出一种低成本的方案,在平坦的蓝宝石衬底上生长高效率的氮化铝薄膜。

据报道,由于氮化铝与蓝宝石衬底的晶格常数和热膨胀系数的匹配程度很低,在蓝宝石衬底上生长氮化铝薄膜会导致晶体质量差和残余应力高的问题。研究人员特意引入开放空间,以显著减少潜在的错位。此外,作为额外的应力释放通道,这些空位不仅可以降低生长过程中的开裂风险,还可以降低冷却后的压应力,从而在实际条件下可以在平坦的蓝宝石衬底上生长几乎没有应力的AIN薄膜。

周生俊表明,图案化衬底上的横向外延过度生长是通过光刻和干蚀刻进行的,这是昂贵的。相比之下,武都大学开发的计划要简单得多,成本也更低。他们认为这种铝镓在促进基于铝镓的紫外发光二极管的商业化方面有很大的潜力。

该报告指出,研究结果已发表在《应用外观科学》(应用表面科学)杂志上。

根据武汉大学的官方统计,周生俊的主要研究目标包括:氮化镓基蓝色发光二极管外延和芯片,氮化镓基紫外发光二极管外延和芯片,以及纳米压印光刻。(由莱迪内贾尼斯编译)

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